Didukung oleh V-NAND generasi ke-5 Samsung, Penyimpanan Flash Universal yang baru menawarkan ruang penyimpanan 20 kali lebih banyak daripada penyimpanan internal 64GB dan kecepatan 10 kali lebih cepat daripada kartu microSD standar untuk aplikasi intensif data.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., pemimpin dunia dalam teknologi memori canggih, hari ini mengumumkan produksi massal Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 terintegrasi pertama di industri berukuran terabyte untuk digunakan dalam aplikasi seluler generasi mendatang. Hanya empat tahun setelah pengumuman solusi UFS pertama, 128GB eUFS, Samsung melampaui batas penyimpanan smartphone yang telah lama ditunggu-tunggu yaitu satu terabyte. Penggemar smartphone akan segera dapat menikmati kapasitas penyimpanan yang sebanding dengan PC notebook premium, tanpa harus menambahkan kartu memori ekstra ke ponsel mereka.
"eUFS 1TB diharapkan memainkan peran penting dalam menciptakan pengalaman pengguna yang ditingkatkan pada perangkat seluler generasi berikutnya, mirip dengan notebook," kata Cheol Choi, Wakil Presiden Eksekutif Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. "Samsung juga berkomitmen untuk mengamankan rantai pasokan yang paling andal dan volume produksi yang memadai untuk mendukung peluncuran smartphone unggulan yang akan datang, dengan tujuan mempercepat pertumbuhan di pasar ponsel global."
Mempertahankan ukuran paket yang sama (11.5mm x 13.0mm), solusi eUFS 1TB menggandakan kapasitas versi 512GB sebelumnya, menggabungkan 16 lapisan memori flash V-NAND 512GB yang lebih canggih dan pengontrol memori eksklusif yang baru dikembangkan. Pengguna ponsel cerdas akan dapat menyimpan 260 video berdurasi sepuluh menit dalam resolusi 4K UHD (3840X2160), sedangkan eUFS 64GB standar, yang ditampilkan oleh sebagian besar ponsel cerdas modern, dapat menyimpan 13 video dengan ukuran yang sama.
1TB eUFS sangat cepat, memungkinkan pengguna untuk mentransfer konten multimedia yang besar dalam waktu yang jauh lebih singkat. Pada kecepatan hingga 1.000 megabyte per detik (MB/s), eUFS baru memiliki kecepatan baca sekuensial sekitar dua kali lipat dari SSD SATA 2.5 inci standar. Ini berarti bahwa video full HD 5GB dapat diunduh ke NVMe SSD hanya dalam lima detik, yang 10 kali lebih cepat daripada kartu microSD standar. Selain itu, kecepatan baca acak telah meningkat sebesar 38% dibandingkan dengan versi 512GB, mencapai 58.000 IOPS. Pendaftaran acak 500 kali lebih cepat daripada kartu microSD berkinerja tinggi (100 IOPS), mencapai 50.000 IOPS. Kecepatan acak memungkinkan pengambilan gambar berkecepatan tinggi terus menerus pada 960 frame per detik dan memberi pengguna smartphone kesempatan untuk memanfaatkan kemampuan multi-kamera perangkat modern dan flagship generasi berikutnya.
Untuk paruh pertama tahun 2019, Samsung berencana untuk memperluas produksi V-NAND 512GB generasi berikutnya di pabriknya di Korea untuk mengelola tingginya permintaan akan eUFS 1TB yang telah lama ditunggu-tunggu dari produsen perangkat seluler di seluruh dunia.
[the_ad_group id = ”966 ″]
